[发明专利]感测装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201610900645.X | 申请日: | 2016-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN107039286A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
| 发明(设计)人: | 刘沧宇;温英男;廖季昌;黄玉龙 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明提供一种感测装置及其制造方法,该制造方法包括提供一第一基底,第一基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面,且一感测区邻近于第一表面;在第一表面上提供一暂时性盖板,以覆盖感测区;在第二表面上形成一重布线层,重布线层电性连接至感测区;在形成重布线层之后,去除暂时性盖板;在去除暂时性盖板之后,将第一基底接合至一第二基底及一盖板,使得第一基底位于第二基底与盖板之间;重布线层电性连接至第二基底;在第二基底与盖板之间填入一封胶层,以环绕第一基底。本发明提供了简化的制程,可有效降低制造成本及缩小感测装置的尺寸,且有利于提供感测装置平坦的感测表面。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种感测装置的制造方法,其特征在于,包括:提供第一基底,其中该第一基底具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面,且感测区邻近于该第一表面;在该第一表面上提供暂时性盖板,以覆盖该感测区;在该第二表面上形成重布线层,其中该重布线层电性连接至该感测区;在形成该重布线层之后,去除该暂时性盖板;在去除该暂时性盖板之后,将该第一基底接合至第二基底及盖板,使得该第一基底位于该第二基底与该盖板之间,其中该重布线层电性连接至该第二基底;以及在该第二基底与该盖板之间填入封胶层,以环绕该第一基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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