[发明专利]感测装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201610900645.X | 申请日: | 2016-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN107039286A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
| 发明(设计)人: | 刘沧宇;温英男;廖季昌;黄玉龙 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明有关于一种感测装置及其制造方法,特别为有关于以晶圆级封装制程制作感测生物特征的感测装置。
背景技术
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中,使其免受外界环境污染外,还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。具有感测功能的晶片封装体通常与其他电子构件一起接合于电路板上,进而形成感测装置,并进一步组合于电子产品内。
然而,传统的感测装置的制程繁复、良率低。感测装置通常凹陷于电子产品外壳内,而不利于使用者的操作,且一旦感测晶片或晶片封装体毁损或失效,整个感测装置即无法使用。
因此,有必要寻求一种新颖的感测装置及其制造方法,其能够解决或改善上述的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种感测装置的制造方法,包括提供一第一基底。第一基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面,且一感测区邻近于第一表面。在第一表面上提供一暂时性盖板,以覆盖感测区。在第二表面上形成一重布线层,重布线层电性连接至感测区。在形成重布线层之后,去除暂时性盖板。在去除暂时性盖板之后,将第一基底接合至一第二基底及一盖板,使得第一基底位于第二基底与盖板之间。重布线层电性连接至第二基底。在第二基底与盖板之间填入一封胶层,以环绕第一基底。
本发明实施例提供一种感测装置,包括一第一基底。第一基底位于一第二基底与一盖板之间。一感测区感测区邻近于第一基底面向盖板的表面。一重布线层位于第一基底与第二基底之间。重布线层电性连接至感测区及第二基底。一底胶层位于重布线层与第二基底之间。一封胶层环绕第一基底及底胶层。
本发明实施例提供一种感测装置,包括一基底。基底承载于一支撑基底上,且基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面。多个感测区邻近于第一表面,且用以感测生物特征。多个导电结构位于第二表面,且电性连接至对应的该测区。导电结构彼此电性绝缘。一沟槽延伸于感测区之间及导电结构之间,且露出支撑基底。
本发明提供了简化的制程,可有效降低制造成本及缩小感测装置的尺寸,且有利于提供感测装置平坦的感测表面。
附图说明
图1A至1E及图1G至1I是绘示出根据本发明某些实施例的感测装置的制造方法的剖面示意图。
图1F是绘示出根据本发明某些实施例的感测装置的制造方法的平面示意图。
图2A至2C是绘示出根据本发明某些实施例的感测装置的制造方法的剖面示意图。
其中,附图中符号的简单说明如下:100:第一基底;100a:第一表面;100b:第二表面;110:感测区;120:晶片区;130:绝缘层;140:导电垫;165:暂时性粘着层;170:暂时性盖板;190:第一开口;200:第二开口;210:绝缘层;220:重布线层;230:保护层;240:孔洞;250:导电结构;260:第二基底;270A:框体;270B:切割胶带;280:底胶层;290:粘着层;300:盖板;310:封胶层;320、330:感测装置;A、B:子结构;SC:切割道;SC’:沟槽。
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然而应注意的是,本发明提供许多可供应用的发明概念,其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式,非用以限制本发明的范围。此外,在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明,不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者,当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时,包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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