[发明专利]感测装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201610900645.X | 申请日: | 2016-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN107039286A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
| 发明(设计)人: | 刘沧宇;温英男;廖季昌;黄玉龙 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种感测装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供第一基底,其中该第一基底具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面,且感测区邻近于该第一表面;
在该第一表面上提供暂时性盖板,以覆盖该感测区;
在该第二表面上形成重布线层,其中该重布线层电性连接至该感测区;
在形成该重布线层之后,去除该暂时性盖板;
在去除该暂时性盖板之后,将该第一基底接合至第二基底及盖板,使得该第一基底位于该第二基底与该盖板之间,其中该重布线层电性连接至该第二基底;以及
在该第二基底与该盖板之间填入封胶层,以环绕该第一基底。
2.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,还包括在形成该重布线层之前,自该第二表面对该第一基底进行薄化制程。
3.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,还包括在去除该暂时性盖板之后进行切割制程。
4.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,还包括形成导电结构,其中该导电结构位于该重布线层与该第二基底之间,且通过该导电结构将该第一基底接合至该第二基底。
5.根据权利要求4所述的感测装置的制造方法,其特征在于,在将该第一基底接合至该第二基底之前,在该重布线层上形成该导电结构。
6.根据权利要求4所述的感测装置的制造方法,其特征在于,在将该第一基底接合至该第二基底之前,在该第二基底上形成该导电结构。
7.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,还包括在将该第一基底接合至该第二基底之后以及在将该第一基底接合至该盖板之前,在该第一基底与该第二基底之间填入底胶层。
8.根据权利要求7所述的感测装置的制造方法,其特征在于,该封胶层还环绕该底胶层。
9.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,通过粘着层将该第一基底接合至该盖板。
10.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,该感测区用以感测生物特征。
11.根据权利要求1所述的感测装置的制造方法,其特征在于,该感测区用于指纹辨识。
12.一种感测装置,其特征在于,包括:
第一基底及第二基底;
盖板,其中该第一基底位于该第二基底与该盖板之间;
感测区,其中该感测区邻近于该第一基底面向该盖板的表面;
重布线层,其中该重布线层位于该第一基底与该第二基底之间,且该重布线层电性连接至该感测区及该第二基底;
底胶层,其中该底胶层位于该重布线层与该第二基底之间;以及
封胶层,其中该封胶层环绕该第一基底及该底胶层。
13.根据权利要求12所述的感测装置,其特征在于,该盖板为非透明的。
14.根据权利要求12所述的感测装置,其特征在于,该盖板包括蓝宝石材料。
15.根据权利要求12所述的感测装置,其特征在于,还包括导电结构,其中该导电结构位于该重布线层与该第二基底之间,且被该底胶层所环绕。
16.根据权利要求12所述的感测装置,其特征在于,还包括粘着层,其中该粘着层位于该第一基底与该盖板之间,且该粘着层包括高介电常数材料。
17.根据权利要求16所述的感测装置,其特征在于,该封胶层还环绕该粘着层。
18.根据权利要求12所述的感测装置,其特征在于,该感测区包括感测生物特征的元件。
19.根据权利要求12所述的感测装置,其特征在于,该感测区包括指纹辨识元件。
20.一种感测装置,其特征在于,包括:
基底,其中该基底具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面;
支撑基底,其中该基底承载于该支撑基底上;
多个感测区,其中该多个感测区邻近于该第一表面,且用以感测生物特征;
多个导电结构,其中该多个导电结构位于该第二表面,且电性连接至对应的该多个感测区,且该多个导电结构彼此电性绝缘;以及
沟槽,其中该沟槽延伸于该多个感测区之间及该多个导电结构之间,且露出该支撑基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





