[发明专利]基于NPNP结构的双向隔离型ESD保护器件

摘要

本发明公开了一种基于NPNP结构的双向隔离型ESD保护器件，包括P型衬底，所述P型衬底内设有N型埋层，且在其上覆盖P型外延，所述P型外延内且在N型埋层之上设有高压N阱，所述高压N阱内设有第一高压P阱、第二高压P阱和低压N阱，所述第一高压P阱内注有第一P+区和第一N+区，所述第二高压P阱内注有第二P+区和第四N+区，第二N+区横跨于所述第一高压P阱与所述低压N阱边界，第三N+区横跨于所述第二高压P阱与所述低压N阱边界，所述P型外延、第一高压P阱、低压N阱、第二高压P阱及高压N阱未注有器件的顶部区域上均覆盖有氧化隔离层。本发明可以支持端口工作在正向或负向电压，器件结构简单，所占芯片面积更小。

主权项

一种基于NPNP结构的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底(101)，所述P型衬底(101)内设有N型埋层(102)，且在其上覆盖P型外延(103)，所述P型外延(103)内且在N型埋层(102)之上设有高压N阱(104)，所述高压N阱(104)内设有第一高压P阱(105)、第二高压P阱(106)和低压N阱(107)，所述第一高压P阱(105)内注有第一P+区(108)和第一N+区(110)，所述第二高压P阱(106)内注有第二P+区(109)和第四N+区(113)，第二N+区(111)横跨于所述第一高压P阱(105)与所述低压N阱(107)边界，第三N+区(112)横跨于所述第二高压P阱(106)与所述低压N阱(107)边界，所述P型外延(103)、第一高压P阱(105)、低压N阱(107)、第二高压P阱(106)及高压N阱(104)未注有器件的顶部区域上均覆盖有氧化隔离层。