[发明专利]基于NPNP结构的双向隔离型ESD保护器件

权利要求书

1.一种基于NPNP结构的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底(101)，所述P型衬底(101)内设有N型埋层(102)，且在其上覆盖P型外延(103)，所述P型外延(103)内且在N型埋层(102)之上设有高压N阱(104)，所述高压N阱(104)内设有第一高压P阱(105)、第二高压P阱(106)和低压N阱(107)，所述第一高压P阱(105)内注有第一P+区(108)和第一N+区(110)，所述第二高压P阱(106)内注有第二P+区(109)和第四N+区(113)，第二N+区(111)横跨于所述第一高压P阱(105)与所述低压N阱(107)边界，第三N+区(112)横跨于所述第二高压P阱(106)与所述低压N阱(107)边界，所述P型外延(103)、第一高压P阱(105)、低压N阱(107)、第二高压P阱(106)及高压N阱(104)未注有器件的顶部区域上均覆盖有氧化隔离层。

2.如权利要求1所述的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，所述氧化隔离层包括：第一氧化隔离层(100a)、第二氧化隔离层(100b)、第三氧化隔离层(100c)、第四氧化隔离层(100d)、第五氧化隔离层(100e)、第六氧化隔离层(100f)和第七氧化隔离层(100g)；

所述第一氧化隔离层(100a)覆盖于所述P型外延(103)的顶部区域、所述高压N阱(104)的位于P型外延(103)与所述第一高压P阱(105)之间的顶部区域以及所述第一高压P阱(105)的位于所述高压N阱(104)与所述第一P+区(108)之间的顶部区域上；

所述第二氧化隔离层(100b)覆盖于所述第一高压P阱(105)的位于所述第一P+区(108)与所述第一N+区(110)之间的顶部区域上；

所述第三氧化隔离层(100c)覆盖于所述第一高压P阱(105)的位于所述第一N+区(110)与所述第二N+区(111)之间的顶部区域上；

所述第四氧化隔离层(100d)覆盖于所述低压N阱(107)的位于所述第二N+区(111)与所述第三N+区(112)之间的顶部区域上；

所述第五氧化隔离层(100e)覆盖于所述第二高压P阱(106)的位于所述第三N+区(112)与所述第四N+区(113)之间的顶部区域上；

所述第六氧化隔离层(100f)覆盖于所述第二高压P阱(106)的位于所述第四N+区(113)与所述第二P+区(109)之间的顶部区域上；

所述第七氧化隔离层(100g)覆盖于所述第二高压P阱(106)的位于所述第二P+区(109)与所述高压N阱(104)之间的顶部区域、所述高压N阱(104)的位于所述第二高压P阱(106)与所述P型外延(103)之间的顶部区域以及所述P型外延(103)的顶部区域上。

3.如权利要求1所述的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，所述低压N阱(107)位于所述第一高压P阱(105)与所述第二高压P阱(106)之间。

4.如权利要求1所述的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，所述第一P+区(108)和所述第一N+区(110)共同引出一个端口，作为所述双向隔离型ESD保护器件的第一端口，第二P+区(109)和第四N+区(113)共同引出另一个端口，作为所述双向隔离型ESD保护器件的第二端口。

5.如权利要求4所述的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，所述第一端口和所述第二端口对称，可相互交换，且均可工作在正向电压或负向电压条件下。

6.如权利要求4所述的双向隔离型ESD保护器件，其特征在于，所述第一端口接被保护的IC管脚，所述第二端口接地；

或者，所述第一端口接地，所述第二端口接被保护的IC管脚。