[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201610852845.2 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106935692B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 卡伊·格尔克;科比尼安·佩尔茨尔迈尔;理查德·弗勒特尔;克里斯蒂安·施密特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在至少一个实施形式中，光电子半导体芯片(1)具有用于产生电磁辐射的半导体层序列(2)以及银镜(3)。银镜(3)设置在半导体层序列(2)上。银镜(3)的银添加有氧。氧在银镜(3)中的重量份额优选至少为10‑5并且更优选最高为10％。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：‑半导体层序列(2)和‑银镜(3)，其中‑所述银镜(3)设置在所述半导体层序列(2)上，并且其中所述银镜(3)的银以至少为10‑5并且最高为10％的重量份额添加有氧，‑所述银镜(3)直接地安置在所述半导体层序列(2)上，‑所述银镜(3)由银和氧构成并且其他物质的杂质最高为100ppm，并且‑直接在所述银镜(3)的背离所述半导体层序列(2)的一侧上安置覆盖层(4)，所述覆盖层包括金属氧化物，并且‑局部地在所述银镜(3)和所述半导体层序列(2)之间安置有具有低的光学折射率的材料(6)，使得所述材料(6)的折射率比所述半导体层序列(2)的折射率至少小0.5，并且使得所述半导体层序列(2)的电接触经由多个岛状的区域实现，在所述区域中，所述银镜(3)与所述半导体层序列(2)直接接触。
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