[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

说明书

在至少一个实施形式中，光电子半导体芯片(1)具有用于产生电磁辐射的半导体层序列(2)以及银镜(3)。银镜(3)设置在半导体层序列(2)上。银镜(3)的银添加有氧。氧在银镜(3)中的重量份额优选至少为10^‑5并且更优选最高为10％。

本申请是已经于2012年9月19日提交的国际申请号：PCT/EP2012/068431,国家申请号：201280048326.0，发明名称为：“光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法”的PCT国际申请的分案申请。

技术领域

提出一种光电子半导体芯片。此外，提出一种用于制造这样的光电子半导体芯片的方法。

发明内容

待实现的目的在于，提出一种特别高效节能地发射辐射的光电子半导体芯片。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施形式，所述光电子半导体芯片包括半导体层序列。半导体芯片的半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料优选是氮化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mN或也是磷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mP，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。同样地，半导体材料能够是Al_xGa_1-xAs，其中0≤x≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。

半导体层序列包含具有至少一个pn结和/或具有一个或多个量子阱结构的有源层。在半导体芯片运行时，在有源层中产生电磁辐射。辐射的波长优选位于紫外的和/或可见的光谱范围中、尤其位于在420nm和680nm之间、例如在440nm和480nm之间的波长处，其中包括边界值。

根据至少一个实施形式，半导体芯片是发光二极管，简称LED。此外，半导体芯片优选设立为用于发射蓝光或白光。

根据至少一个实施形式，半导体芯片包括银镜。银镜设置在半导体层序列上并且设立为用于反射在有源层中产生的辐射，尤其沿朝向半导体芯片的辐射出射面的方向反射。银镜优选镜面反射。因此，换言之，银镜不是漫反射的镜。

根据半导体芯片的至少一个实施形式，银镜添加有氧。因此，换言之，银镜除了简称为Ag的银以外也具有简称为O的氧作为主要材料组分。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施形式，银镜的氧的重量份额为至少10^-6或至少10^-5或至少10^-4或至少0.1％或至少1％。替选地或附加地，氧的重量份额为最高10％或最高1％或最高0.1％或最高10^-4或最高10^-5。因此，换言之，在银镜中不存在或基本上不存在纯的氧化银，而可能的是，能够将氧理解为对银镜的银一种掺杂。

在至少一个实施形式中，光电子半导体芯片具有用于产生电磁辐射的半导体层序列以及银镜。银镜设置在半导体层序列上。银镜的银添加有氧。银镜中的氧的重量份额优选为至少10^-5并且更优选为最高10％。

通过这样的银镜能够实现特别有效地发射辐射的光电子半导体芯片。这样的银镜用于半导体芯片的应用此外基于下述知识：

为了尤其在p侧上电接触光电子半导体芯片如发光二极管，在半导体材料上施加金属的或含金属的材料。在此，在金属和半导体材料之间形成接触电阻。所述接触电阻与真正的产生光的有源层构成串联电阻。为了能够有效地运行半导体芯片，需要尽可能小的接触电阻。