[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：

-半导体层序列(2)和

-银镜(3)，

其中

-所述银镜(3)设置在所述半导体层序列(2)上，

并且其中所述银镜(3)的银以至少为10^-5并且最高为10％的重量份额添加有氧，

-所述银镜(3)直接地安置在所述半导体层序列(2)上，

-所述银镜(3)由银和氧构成并且其他物质的杂质最高为100ppm，并且

-直接在所述银镜(3)的背离所述半导体层序列(2)的一侧上安置覆盖层(4)，所述覆盖层包括金属氧化物，并且

-局部地在所述银镜(3)和所述半导体层序列(2)之间安置有具有低的光学折射率的材料(6)，使得所述材料(6)的折射率比所述半导体层序列(2)的折射率至少小0.5，并且使得所述半导体层序列(2)的电接触经由多个岛状的区域实现，在所述区域中，所述银镜(3)与所述半导体层序列(2)直接接触。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述银镜(3)和所述半导体层序列(2)之间的过渡区域具有最高2nm的厚度，

其中所述银镜(3)中的氧的重量份额位于10^-5和10^-3之间，其中包括边界值，

其中所述银镜(3)中的除了Ag和O以外的物质的重量份额最高为5×10^-5。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片(1)，

其中直接在所述覆盖层(4)的背离所述半导体层序列(2)的一侧上施加有金属层(5)，

其中所述金属层(5)是金层或铂层。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述半导体层序列(2)的邻接于所述银镜(3)的子层(20)由p型掺杂的GaN构成，并且Al和In的混入量计为各最高5原子％，Si和Ge的混入量计为各最高2原子％并且除了Ga、N、Al、In、Si和Ge以外的其他组成部分计为整体最高1原子％的份额。

5.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述覆盖层(4)由ZnO或由掺杂的ZnO构成并且具有至少20nm并且最高500nm的厚度。

6.根据权利要求1、2和5中任一项所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述半导体层序列(2)的邻接于所述银镜(3)的子层(20)由p型掺杂的GaN或由p型掺杂的InAlGaN构成。

7.根据权利要求6所述的光电子半导体芯片(1),

其中所述子层(20)具有在2nm和20nm之间的厚度，其中包括边界值，掺杂物是镁并且掺杂物浓度位于1×10¹⁹cm^-3和2×10²⁰cm^-3之间，其中包括边界值。

8.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述银镜(3)和所述半导体层序列(2)之间的边界层(23)具有最高5nm的厚度，

其中在所述边界层(23)中存在银、氧、GaN、铝、铟和/或镁。

9.根据权利要求6所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述子层(20)中的氧浓度最高为1×10¹⁶cm^-3。

10.根据权利要求1、2、5和8中任一项所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述银镜(3)的厚度位于70nm和300nm之间，其中包括边界值。

11.根据权利要求1、5和8中任一项所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述银镜(3)中的氧的重量份额在0.01％和1.0％之间，其中包括边界值。