[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610848902.X | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107017219B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 齐藤弘和 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够防止基板的周边部的破裂、缺口的损伤，并且，防止突起电极的损伤的半导体装置及其制造方法。半导体装置（10）在半导体晶圆（12）的主面（12A）的中央部（14）具备元件形成区域（20）。在元件形成区域（20）配设有突起电极（44）。另一方面，在半导体晶圆（12）的主面（12A）的周边部（16）配设有虚拟突起电极（44D）。虚拟突起电极（44D）与元件形成区域（20）和周边部（16）的边界部分的三角形（60）重复地配设。虚拟突起电极（44D）在半导体晶圆（12）的背面的背面研磨处理中，防止周边部的破裂、缺口等损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，在主面的中央部，在第一方向配设n个矩形平面状的第一元件形成区域，并且，与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向配设n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；突起电极，在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极；以及虚拟突起电极，在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形。
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