[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供能够防止基板的周边部的破裂、缺口的损伤，并且，防止突起电极的损伤的半导体装置及其制造方法。半导体装置（10）在半导体晶圆（12）的主面（12A）的中央部（14）具备元件形成区域（20）。在元件形成区域（20）配设有突起电极（44）。另一方面，在半导体晶圆（12）的主面（12A）的周边部（16）配设有虚拟突起电极（44D）。虚拟突起电极（44D）与元件形成区域（20）和周边部（16）的边界部分的三角形（60）重复地配设。虚拟突起电极（44D）在半导体晶圆（12）的背面的背面研磨处理中，防止周边部的破裂、缺口等损伤。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

专利文献1公开了晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP：Wafer Level Chip SizePackage)的半导体装置的制造方法。在该半导体装置的制造方法中，最初，形成在有源面(表面)上排列了凸块电极的IC晶圆，在有源面上在IC晶圆的周边部分粘贴支承部件。并且，以覆盖凸块电极的方式在支承部件上粘贴背面研磨用保护带。在由保护带保护有源面的状态下通过背面研磨工序磨削IC晶圆的无源面(背面)，IC晶圆的厚度变薄。若背面研磨工序结束，则剥离保护带以及支承部件。

根据这样的半导体装置的制造方法，在周边部分被支承部件机械地支承的状态下磨削IC晶圆的无源面，所以不容易产生IC晶圆的周边部分的破裂、缺口。

专利文献1：日本特开2004－288725公报

在上述半导体装置的制造方法中，在IC晶圆的有源面上形成了凸块电极之后，在IC晶圆的周边部分粘贴支承部件。在粘贴支承部件时，存在支承部件与凸块电极接触，而给予凸块电极损伤的可能性。另外，在上述半导体装置的制造方法中，除了保护带的粘贴工序之外还需要支承部件的粘贴工序，所以制造工序数目增加。因此，存在改善的余地。

发明内容

本发明考虑上述事实，提供能够防止基板的周边部的破裂、缺口的损伤且防止突起电极的损伤的半导体装置。

另外，本发明提供能够防止基板背面的磨削所引起的基板的破裂、缺口的损伤，并使制造工序数目减少，能够实现基板的轻薄化的半导体装置的制造方法。

本发明的实施方式所涉及的半导体装置具备：

基板，在主面的中央部，在第一方向配设n个矩形平面状的第一元件形成区域，并且，与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向配设n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；

突起电极，在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极；以及

虚拟突起电极，在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形。

另外，本发明的实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具备：

准备基板，在上述基板主面的中央部，在第一方向形成有n个矩形平面状的第一元件形成区域，并与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向形成n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；

在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极，并且在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极的突起电极形成工序，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形；

在上述主面的整个区域粘贴覆盖上述突起电极以及上述虚拟突起电极的保护带的保护带粘贴工序；以及