[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板，在主面的中央部，在第一方向配设n个矩形平面状的第一元件形成区域，并且，在第一方向配设n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域，上述第二元件形成区域与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接；

突起电极，在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极；以及

虚拟突起电极，在上述主面的周边部，与三角形区域重复地形成多个虚拟突起电极，上述三角形区域由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定，

在上述第一元件形成区域以及上述第二元件形成区域，分别在上述突起电极下配设多个与该突起电极电连接的外部电极焊盘，

在上述周边部，在上述虚拟突起电极下配设多个与该虚拟突起电极连接的虚拟电极焊盘，

在上述周边部，在不与上述三角形区域重复的区域，配设不连接上述虚拟突起电极的上述虚拟电极焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述基板的与上述主面对置的背面，形成沿上述第一边或者上述第二边延伸的磨削痕。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述突起电极与形成在上述第一元件形成区域或者上述第二元件形成区域的元件电连接，

上述虚拟突起电极未与上述元件电连接。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

准备基板，在上述基板的主面的中央部，在第一方向形成有n个矩形平面状的第一元件形成区域，并在第一方向形成n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域，上述第二元件形成区域与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接；

在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极，并且在上述主面的周边部，与三角形区域重复地形成多个虚拟突起电极的突起电极形成工序，上述三角形区域由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定；

在上述主面的整个区域粘贴覆盖上述突起电极以及上述虚拟突起电极的保护带的保护带粘贴工序；以及

在粘贴了上述保护带的状态下，磨削上述基板的与上述主面对置的背面，使该基板的厚度变薄的薄膜化工序，

在上述第一元件形成区域以及上述第二元件形成区域，分别在上述突起电极下配设多个与该突起电极电连接的外部电极焊盘，

在上述周边部，在上述虚拟突起电极下配设多个与该虚拟突起电极连接的虚拟电极焊盘，

在上述周边部，在不与上述三角形区域重复的区域，配设不连接上述虚拟突起电极的上述虚拟电极焊盘。