[发明专利]一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统有效
| 申请号： | 201610843020.4 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106483441B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 邓二平;张朋;赵志斌;温家良;黄永章 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;华北电力大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型；在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布；依据耦合热应力后的有限元模型，仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布；测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布；确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比，本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 功率 半导体器件 内部 温度 分布 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法，其特征在于，所述方法包括：构建压接型功率半导体器件的有限元模型；在所述有限元模型中耦合所述压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布；依据所述耦合热应力后的有限元模型，仿真得到所述压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的第一压力分布；测量所述压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布；依据所述第一压力分布和所述实际压力分布，确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。
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