[发明专利]互连线结构与其制造方法有效
| 申请号: | 201610806487.1 | 申请日: | 2016-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN106898595B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
| 发明(设计)人: | 吴中文;张简旭珂;邱建文;陈建全 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本揭露是关于一种互连线结构与其制造方法。互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上的第二介电层、存在于第一介电层与第二介电层之间的含铝蚀刻停止层、至少存在于第二介电层中及电连接至导电特征的导电通孔,及至少存在于导电通孔底部转角处的至少一个含铝碎片。 | ||
| 搜索关键词: | 互连 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种互连线结构,其特征在于,包括:/n一第一介电层;/n一导电特征,存在于该第一介电层中;/n一第二介电层,存在于该第一介电层上;/n一导体,存在于该第二介电层中及电连接至该导电特征;以及/n多个含铝碎片,存在于该第二介电层的侧壁以及该导体之间,其中该第二介电层的该侧壁的底部处的所述含铝碎片的密度大于该第二介电层的该侧壁的中部的所述含铝碎片的密度,其中所述含铝碎片包含氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610806487.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:充电枪转换接头
- 下一篇:具有低触发电压的静电放电保护器件





