[发明专利]互连线结构与其制造方法

说明书

本揭露是关于一种互连线结构与其制造方法。互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上的第二介电层、存在于第一介电层与第二介电层之间的含铝蚀刻停止层、至少存在于第二介电层中及电连接至导电特征的导电通孔，及至少存在于导电通孔底部转角处的至少一个含铝碎片。

技术领域

本揭露是关于一种互连线结构与其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)已经历迅速增长。现代集成电路由几乎数百万有效装置组成，如晶体管及电容器。IC材料及设计的技术进步已生产数代IC，其中每一代都具有比上一代更小及更复杂的电路。这些装置最初是彼此隔绝的，但后来经由多个金属层互连在一起以形成功能电路。随着IC变得日益复杂，互连线结构亦变得更为复杂，导致增大数目的金属层。

互连线结构可包括横向互连，如金属线(导线)，及垂直互连，如导电通孔及触点。然而，复杂互连线限制现代集成电路的效能及密度。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上及其中具有孔洞的第二介电层、存在于孔洞中及电连接至导电特征的导体，及至少部分地存在于孔洞的至少一个侧壁上的多个含铝碎片，其中孔洞侧壁底部的含铝碎片密度大于孔洞侧壁中部的含铝碎片密度。

根据本揭露的一些实施例，互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上的第二介电层、存在于第一介电层与第二介电层之间的含铝蚀刻停止层、至少存在于第二介电层中及电连接至导电特征的导电通孔，及至少存在于导电通孔底部转角处的至少一个含铝碎片。

根据本揭露的一些实施例，制造互连线结构的一方法，此方法包括在第一介电层中形成导电特征；在导电特征及第一介电层上形成含铝蚀刻停止层；在含铝蚀刻停止层上形成第二介电层；及蚀刻第二介电层及含铝蚀刻停止层以在第二介电层及含铝蚀刻停止层中形成孔洞，其中导电特征至少部分地由孔洞曝露，及蚀刻含铝蚀刻停止层将至少一个含铝碎片重新溅射至孔洞的至少一个侧壁上。

附图说明

本揭露的实施方式最佳在阅读附图时根据下文的详细说明来进行理解。应注意，依据工业中的标准实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。

图1A至图1F是依据本揭露的一些实施例制造互连线结构的方法的不同阶段；

图2是依据本揭露的一些实施例图1F中部分A的放大视图。

具体实施方式

以下揭示内容提供众多不同的实施例或实例以用于实施本揭露提供的标的物的不同特征。下文中描述组件及排列的特定实例以简化本揭露。这些组件及排列当然仅为实例，及不意欲进行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施例，及亦可包括其中在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征无法直接接触的实施例。此外，本揭露在多个实例中可重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的，及其自身并不规定所论述的多个实施例及/或配置之间的关系。

此外，本揭露中可使用诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如附图中所图示。空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置除附图中绘示的定向以外的不同定向。或者，设备可经定向(旋转90度或其他定向)，及本揭露中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。