[发明专利]互连线结构与其制造方法有效
| 申请号: | 201610806487.1 | 申请日: | 2016-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN106898595B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
| 发明(设计)人: | 吴中文;张简旭珂;邱建文;陈建全 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 互连 结构 与其 制造 方法 | ||
1.一种互连线结构,其特征在于,包括:
一第一介电层;
一导电特征,存在于该第一介电层中;
一第二介电层,存在于该第一介电层上;
一导体,存在于该第二介电层中及电连接至该导电特征;以及
多个含铝碎片,存在于该第二介电层的侧壁以及该导体之间,其中该第二介电层的该侧壁的底部处的所述含铝碎片的密度大于该第二介电层的该侧壁的中部的所述含铝碎片的密度,其中所述含铝碎片包含氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。
2.根据权利要求1所述的互连线结构,其特征在于,还包括:
一含铝蚀刻停止层,存在于该第一介电层与该第二介电层之间。
3.根据权利要求2所述的互连线结构,其特征在于,该含铝蚀刻停止层的材料为氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。
4.根据权利要求1所述的互连线结构,其特征在于,该导体具有至少一个底部转角,所述多个含铝碎片中的至少一者存在于该导体的该底部转角。
5.根据权利要求1所述的互连线结构,其特征在于,该导体由一无铝材料制成。
6.根据权利要求1所述的互连线结构,其特征在于,该导体的材料包含铜。
7.根据权利要求1所述的互连线结构,其特征在于,还包含一阻障层,至少部分存在于该导体与该第二介电层之间。
8.根据权利要求7所述的互连线结构,其特征在于,该阻障层由一无铝材料制成。
9.一种互连线结构,其特征在于,包括:
一第一介电层;
一导电特征,存在于该第一介电层中;
一第二介电层,存在于该第一介电层上;
一含铝蚀刻停止层,存在于该第一介电层与该第二介电层之间;
一导电通孔,至少存在于该第二介电层中且电连接至该导电特征;以及
至少一个含铝碎片,至少存在于该导电通孔的一底部转角处,其中所述含铝碎片包含氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。
10.根据权利要求9所述的互连线结构,其特征在于,多个所述含铝碎片存在于该导电通孔的至少一个侧壁上。
11.根据权利要求10所述的互连线结构,其特征在于,该导电通孔的该侧壁具有一底部部分及一中间部分,该底部部分比该中间部分更靠近该含铝蚀刻停止层,该导电通孔的该侧壁的该底部部分上的所述含铝碎片的密度小于该导电通孔的该侧壁的该中间部分上的所述含铝碎片的密度。
12.根据权利要求9所述的互连线结构,其特征在于,该含铝蚀刻停止层的材料为氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。
13.根据权利要求9所述的互连线结构,其特征在于,还包含一无铝蚀刻停止层,设置于该含铝蚀刻停止层上。
14.一种用于制造一互连线结构的方法,其特征在于,包括:
在一第一介电层中形成一导电特征;
在该导电特征及该第一介电层上形成一含铝蚀刻停止层;
在该含铝蚀刻停止层上形成一第二介电层;
干式蚀刻该第二介电层及该含铝蚀刻停止层以在该第二介电层及该含铝蚀刻停止层中形成一孔洞,其中该导电特征至少部分地由该孔洞曝露,该干式蚀刻该含铝蚀刻停止层的步骤使得至少一个含铝碎片重新溅射在该第二介电层的一侧壁上,其中所述含铝碎片包含氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合;以及
形成一导体于该孔洞中,该含铝碎片存在于该第二介电层的该侧壁以及该导体之间。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,该含铝蚀刻停止层的材料为氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。
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