[发明专利]具有高耦合比率的闪存器件

摘要

一种闪存单元结构包括半导体衬底、衬垫介电层、浮动栅极、控制栅极和阻挡层。在半导体衬底上设置衬垫介电层。在衬垫介电层上方设置浮动栅极，其中，浮动栅极具有与衬垫介电层相对的顶面，并且顶面包括在其上形成的至少一个凹槽。在浮动栅极的顶面上方设置控制栅极。在浮动栅极与控制栅极之间设置阻挡层。本发明的实施例还涉及具有高耦合比率的闪存器件。

主权项

一种闪存单元结构，包括：半导体衬底；衬垫介电层，设置在所述半导体衬底上；浮动栅极，设置在所述衬垫介电层上方，其中，所述浮动栅极具有与所述衬垫介电层相对的顶面，并且所述顶面包括在所述顶面上形成的至少一个凹槽；控制栅极，设置在所述浮动栅极的所述顶面上方；阻挡层，设置在所述浮动栅极与所述控制栅极之间。