[发明专利]用于半导体中段制程（MEOL）工艺的方法和结构有效
| 申请号： | 201610729204.8 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106711042B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吕志伟;李忠儒;黄建桦;沈香谷;陈昭诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法提供了前体，该前体包括具有第一区域和第二区域的衬底，其中，第一区域包括绝缘体并且第二区域包括晶体管的源极、漏极和沟道区域。该前体还包括位于绝缘体上方的栅极堆叠件以及位于沟道区域上方的栅极堆叠件。该前体还包括位于栅极堆叠件上方的第一介电层。该方法还包括使第一介电层部分地凹进；在凹进的第一介电层上方形成第二介电层；并且在第二介电层上方形成接触蚀刻停止(CES)层。在实施例中，该方法还包括在栅极堆叠件上方形成栅极导通孔，在S/D区域上方形成源极和漏极(S/D)导通孔，并且在栅极导通孔和S/D导通孔中形成通孔。本发明的实施例还涉及用于半导体中段制程(MEOL)工艺的方法和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 中段 meol 工艺 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供前体，所述前体包括：衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域包括绝缘体并且所述第二区域包括晶体管的源极区域、漏极区域和沟道区域；第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，位于所述绝缘体上方；第三栅极堆叠件，位于所述沟道区域上方；和第一介电层，位于所述第一栅极堆叠件、所述第二栅极堆叠件和所述第三栅极堆叠件上方；使所述第一介电层部分地凹进，以形成凹进的第一介电层；在凹进的第一介电层上方形成第二介电层；以及在所述第二介电层上方形成接触蚀刻停止(CES)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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