[发明专利]集成扇出结构以及形成方法在审
| 申请号： | 201610724021.7 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106711092A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;苏安治;林宗澍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及形成方法。模塑料沿着第一管芯和第二管芯的侧壁延伸。在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布层。再分布层包括位于第一管芯和第二管芯之间的间隙上面的导体。在第一管芯的边缘上方以第一角度布线导体。相对于沿着第一管芯和第二管芯之间的最短的线延伸的直线测量第一角度，并且第一角度大于0。本发明的实施例还涉及集成扇出结构以及形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成沿着第一管芯和第二管芯的侧壁延伸的模塑料；以及在所述第一管芯、所述第二管芯和所述模塑料上方形成再分布层，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体以第一角度布线在所述第一管芯的边缘上方，相对于所述第一管芯和所述第二管芯之间的最短的线测量所述第一角度，并且所述第一角度大于0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
