[发明专利]集成扇出结构以及形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成沿着第一管芯和第二管芯的侧壁延伸的模塑料；以及

在所述第一管芯、所述第二管芯和所述模塑料上方形成再分布层，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体以第一角度布线在所述第一管芯的边缘上方，相对于所述第一管芯和所述第二管芯之间的最短的线测量所述第一角度，并且所述第一角度大于0。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一管芯包括第一衬底的顶面上的第一介电层，并且所述第二管芯包括第二衬底的顶面上的第二介电层，其中，所述第一介电层的边缘从所述第一衬底的边缘偏移，并且所述第二介电层的边缘从所述第二衬底的边缘偏移。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述导体包括所述第一介电层上方的第一转折点，所述第一转折点位于首先以所述第一角度布线所述导体的位置处。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述导体包括所述第二介电层上方的第二转折点，所述第二转折点位于以与在所述第二管芯的边缘上方布线所述导体的角度不同的角度首先布线所述导体的位置处。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导体包括：

部分地位于所述第一管芯上面且以所述第一角度布线的第一段；

以第二角度布线的连接至所述第一段的第二段；以及

连接至所述第二段、部分地位于所述第二管芯上面且以第三角度布线的第三段，所述第三角度大于0；

其中，相对于所述第一管芯和所述第二管芯之间的所述最短的线测量所述第二角度和所述第三角度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

部分地位于所述第一管芯上面且以所述第一角度布线的第一段；以及

部分地位于所述第二管芯上面且以第二角度布线的第二段；

其中，所述第一段相对于所述第一管芯的面向所述第二管芯的边缘形成锐角，并且所述第二角度是锐角且相对于所述第二管芯的面向所述第一管芯的边缘测量所述第二角度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一角度为45度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一角度大于15度。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上放置第一管芯，所述第一管芯的顶面包括第一介电层，其中，所述第一介电层的边缘从所述第一管芯的下边缘偏移；

在所述衬底上放置第二管芯，所述第二管芯的顶面包括第二介电层，其中，所述第二介电层的边缘从所述第二管芯的下边缘偏移；

形成沿着所述第一管芯和所述第二管芯的侧壁延伸的模塑料；

形成延伸穿过所述模塑料的贯通孔；以及

在所述第一管芯和所述第二管芯上方形成再分布层，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体在所述第一管芯的所述边缘上方以非垂直于所述第一管芯的面向所述第二管芯的边缘的方式布线。

10.一种半导体器件，包括：

第一管芯；

第二管芯；

模制材料，在所述第一管芯和所述第二管芯之间延伸；以及

再分布层，位于所述第一管芯和所述第二管芯上面，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体在所述第一管芯的边缘上方以第一角度布线，相对于所述第一管芯和所述第二管芯之间的最短的线测量所述第一角度，并且所述第一角度大于0。