[发明专利]集成扇出结构以及形成方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及集成扇出结构以及形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多功能需要集成至半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装至更小的区域内，并且因此随着时间I/O焊盘的密度迅速提升。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这会对封装产量产生不利影响。

传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在它们被切割之前封装。这种封装技术具有一些有利的特征，诸如更大的生产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术还具有一些缺陷。如前所述，管芯的尺寸变得越来越小，并且对应的封装件仅可为扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘都被限于直接位于对应管芯的表面上方的区域。由于管芯的面积有限，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果焊盘的间距减小，则可能发生焊料桥接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必须具有特定尺寸，这进而限制可以封装在管芯表面上的焊球的数量。

在另一类封装中，管芯在它们被封装之前从圆切割，并且仅封装“已知良好管芯”。该封装技术的有利特征是形成扇出型封装件的可能性，这意味着管芯上的I/O焊盘可以分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增大封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成沿着第一管芯和第二管芯的侧壁延伸的模塑料；以及在所述第一管芯、所述第二管芯和所述模塑料上方形成再分布层，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体以第一角度布线在所述第一管芯的边缘上方，相对于所述第一管芯和所述第二管芯之间的最短的线测量所述第一角度，并且所述第一角度大于0。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上放置第一管芯，所述第一管芯的顶面包括第一介电层，其中，所述第一介电层的边缘从所述第一管芯的下边缘偏移；在所述衬底上放置第二管芯，所述第二管芯的顶面包括第二介电层，其中，所述第二介电层的边缘从所述第二管芯的下边缘偏移；形成沿着所述第一管芯和所述第二管芯的侧壁延伸的模塑料；形成延伸穿过所述模塑料的贯通孔；以及在所述第一管芯和所述第二管芯上方形成再分布层，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体在所述第一管芯的所述边缘上方以非垂直于所述第一管芯的面向所述第二管芯的边缘的方式布线。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一管芯；第二管芯；模制材料，在所述第一管芯和所述第二管芯之间延伸；以及再分布层，位于所述第一管芯和所述第二管芯上面，所述再分布层包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙上面的导体，所述导体在所述第一管芯的边缘上方以第一角度布线，相对于所述第一管芯和所述第二管芯之间的最短的线测量所述第一角度，并且所述第一角度大于0。

附图说明

为更完整的理解本发明实施例及其优点，现将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中：

图1至图16是根据一些示例性实施例的制造贯通孔(TV)封装件的中间阶段的截面图；

图17至图19示出了根据一些示例性实施例的管芯至管芯金属连接件的截面图和平面图；以及

图20至图22是根据一些示例性实施例的制造TV封装件的中间阶段的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。