[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610643509.7 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107706242B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈蔚宗;林柏辛;蔡学宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管及其制造方法，所述方法包含：(i)在基材上方形成金属氧化物半导体层；(ii)在金属氧化物半导体层的不同两侧上方形成源极和漏极；(iii)在源极、漏极以及金属氧化物半导体层上方形成介电层；(iv)在介电层上方形成含氢绝缘层，其中含氢绝缘层具有间隙露出介电层的表面，且在垂直此表面的方向上，所述间隙与金属氧化物半导体层重叠；(v)通过对含氢绝缘层进行处理，使金属氧化物半导体层的局部的氢浓度增加，而形成源极区以及漏极区；以及(vi)在间隙中形成栅极。此方法制造的晶体管具有更短的通道区长度，而且解决自对准工艺技术中蚀刻工艺边际太小的技术问题，且具有更高的生产合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包含：金属氧化物半导体层，包含源极区、漏极区、以及通道区，其中所述源极区、所述漏极区及所述通道区分别具有第一氢浓度、第二氢浓度及第三氢浓度，且所述第一氢浓度及所述第二氢浓度大于所述第三氢浓度；源极，位于所述源极区上方；漏极，位于所述漏极区上方；介电层，位于所述源极、所述漏极以及所述金属氧化物半导体层上方；含氢绝缘层，位于所述介电层上方，且所述含氢绝缘层具有间隙露出所述介电层的表面，其中在垂直所述表面的方向上，所述含氢绝缘层以及所述间隙与所述金属氧化物半导体层重叠；以及栅极，配置在所述间隙中。
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