[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包含：

金属氧化物半导体层，包含源极区、漏极区、以及通道区，其中所述源极区、所述漏极区及所述通道区分别具有第一氢浓度、第二氢浓度及第三氢浓度，且所述第一氢浓度及所述第二氢浓度大于所述第三氢浓度；

源极，位于所述源极区上方；

漏极，位于所述漏极区上方；

介电层，位于所述源极、所述漏极以及所述金属氧化物半导体层上方；

含氢绝缘层，位于所述介电层上方，且所述含氢绝缘层具有间隙露出所述介电层的表面，其中在垂直所述表面的方向上，所述含氢绝缘层以及所述间隙与所述金属氧化物半导体层重叠；以及

栅极，配置在所述间隙中。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述含氢绝缘层的所述间隙的宽度定义所述金属氧化物半导体层的所述通道区的长度。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在垂直所述表面的方向上，所述源极区及所述漏极区与所述含氢绝缘层重叠。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述间隙的宽度小于所述金属氧化物半导体层的长度。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一氢浓度及所述第二氢浓度介于10¹⁶个/cm²至10²²个/cm²之间。

6.一种晶体管制造方法，其特征在于，包含：

在基材上方形成金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层的不同两侧上方形成源极和漏极；

在所述源极、所述漏极以及所述金属氧化物半导体层上方形成介电层；

在所述介电层上方形成含氢绝缘层，其中所述含氢绝缘层具有间隙露出所述介电层的表面，且在垂直所述表面的方向上，所述间隙与所述金属氧化物半导体层重叠；

通过对所述含氢绝缘层进行处理，使所述金属氧化物半导体层的局部的氢浓度增加，而在所述金属氧化物半导体层中形成源极区以及漏极区；以及

在所述间隙中形成栅极。

7.如权利要求6所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述对所述含氢绝缘层进行处理，包含对所述含氢绝缘层进行热处理或以激光照射所述含氢绝缘层。

8.如权利要求6所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述源极区具有第一氢浓度，所述漏极区具有第二氢浓度，且所述第一氢浓度及所述第二氢浓度介于10¹⁶个/cm²至10²²个/cm²之间。

9.如权利要求6所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的所述源极区与所述漏极区之间的区域定义所述金属氧化物半导体层的通道区，所述通道区的氢浓度为0至10¹⁶个/cm²。

10.如权利要求6所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述间隙的宽度小于所述金属氧化物半导体层的长度。