[发明专利]半导体存储装置及存储器系统有效
| 申请号： | 201610580129.3 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107146639B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 本间充祥 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够使动作高速化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置(10)具备：第1存储器单元，能够存储n比特的数据；第2存储器单元，能够存储m比特(m＞n)的数据；以及读出放大器(12)，对第1及第2存储器单元进行数据的读取及写入。在半导体存储装置(10)从控制器(20)接收到第1命令时，读出放大器(12)将第1数据写入至第1存储器单元。然后，读出放大器(12)在写入后从第1存储器单元读取第1数据，将第1数据与所读取出的第1数据进行比较。在半导体存储装置(10)从控制器(20)接收到第2命令的情况下，读出放大器(12)将从第1存储器单元读取的第1数据或从控制器(20)接收的第2数据写入至第2存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 存储器 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1存储器单元，能够存储n比特(n为1以上的自然数)的数据；第2存储器单元，能够存储m比特(m为2以上的自然数，m＞n)的数据；以及读出放大器，对所述第1及第2存储器单元进行数据的读取及写入；在从外部的控制器接收到第1命令时，所述读出放大器将第1数据写入至所述第1存储器单元，在所述写入之后从所述第1存储器单元读取所述第1数据，并将所述第1数据与所述读取出的第1数据进行比较，在接收所述第1命令后接收到与该第1命令不同的第2命令时，基于所述比较结果，所述读出放大器将从所述第1存储器单元读取出的所述第1数据或从所述控制器接收到的第2数据写入至所述第2存储器单元。
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