[发明专利]半导体存储装置及存储器系统有效
申请号: | 201610580129.3 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN107146639B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 本间充祥 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/10;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 存储器 系统 | ||
1.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
第1存储器单元,能够存储n比特(n为1以上的自然数)的数据;
第2存储器单元,能够存储m比特(m为2以上的自然数,m>n)的数据;以及
读出放大器,对所述第1及第2存储器单元进行数据的读取及写入;
在从外部的控制器接收到第1命令时,所述读出放大器将第1数据写入至所述第1存储器单元,在所述写入之后从所述第1存储器单元读取所述第1数据,并将所述第1数据与所述读取出的第1数据进行比较,
在接收所述第1命令后接收到与该第1命令不同的第2命令时,基于所述比较结果,所述读出放大器将从所述第1存储器单元读取出的所述第1数据或从所述控制器接收到的第2数据写入至所述第2存储器单元,
基于所述比较结果,设定表示是否需要对写入至所述第1存储器单元的所述第1数据进行错误订正处理的标记,
所述标记与待命/忙碌信息一起被存储于状态寄存器。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述第2数据是对从所述第1存储器单元读取的所述第1数据进行错误订正处理后的数据。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述错误订正处理是通过所述控制器而进行。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
在所述标记尚未确立的情况下,在所述第2命令中,所述读出放大器将从所述第1存储器单元读取的所述第1数据直接写入至所述第2存储器单元,
在所述标记已确立的情况下,所述控制器对从所述第1存储器单元读取的所述第1数据进行错误订正处理,并将错误订正结果作为所述第2数据发送至所述半导体存储装置,且所述读出放大器将所述第2数据写入至所述第2存储器单元。
5.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
第1存储器单元,能够存储n比特(n为1以上的自然数)的数据;
第2存储器单元,能够存储m比特(m为2以上的自然数,m>n)的数据;以及
读出放大器,对所述第1及第2存储器单元进行数据的读取及写入;
在从外部的控制器接收到第1命令时,所述读出放大器将第1数据写入至所述第1存储器单元,在所述写入之后从所述第1存储器单元读取所述第1数据,并将所述第1数据与所述读取出的第1数据进行比较,
在接收所述第1命令后接收到与该第1命令不同的第2命令时,基于所述比较结果,所述读出放大器将通过第1电压从所述第1存储器单元读取出的所述第1数据或通过与所述第1电压不同的第2电压从所述第1存储器单元读取出的所述第1数据写入至所述第2存储器单元,
根据所述比较结果设定与移位读取相关的标记,
所述标记与待命/忙碌信息一起被存储于状态寄存器。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其特征在于:
在所述标记尚未确立的情况下,在所述第1及第2命令中通过第1电压而读取所述第1存储器单元,
在所述标记已确立的情况下,在所述第1命令中通过所述第1电压而读取所述第1存储器单元,在所述第2命令中通过所述第2电压而读取所述第1存储器单元。
7.根据权利要求1或5所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述半导体存储装置根据在所述比较结束后从所述控制器接收到的第3命令,将所述比较结果输出至所述控制器。
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