[发明专利]一种扩散硅高静压微差压传感器

摘要

本发明一种扩散硅高静压微差压传感器，其中，包括正盒固定座以及设于正盒固定座下侧的负盒固定座，正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，盘型填充主体与负盒固定座之间设有空腔，空腔内的两端分别设有静压座、差压座，静压座与差压座内均设有导线柱；负盒固定座内设有反应区，导线通孔位于高压区正上方，差压座位于低压区上方，负盒固定座的上侧设有静压座；静压座背离于差压座的一侧根部设有静压芯片，差压座背离于静压芯片的一侧根部设有差压芯片，静压芯片大于两个，差压芯片大于两个。通过使用本发明一种扩散硅高静压微差压传感器，有效地实现外置电路对传感器进行校准，同时对传感器的温度系数、灵敏度系数进行补偿。

主权项

一种扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，包括：正盒固定座以及设于所述正盒固定座下侧的负盒固定座，所述正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，所述盘型填充主体与所述负盒固定座之间设有空腔，所述空腔内的两端分别设有静压座、差压座，所述静压座与所述差压座内均设有导线柱；所述负盒固定座内设有反应区，所述正盒固定座背离于所述负盒固定座的一侧设有连接件，所述连接件内设有接线板，所述盘型填充主体内设有导线通孔，所述接线板与两所述导线柱之间设有导线，所述导线固定在所述导线通孔内；所述反应区包括低压区、高压区，所述导线通孔位于所述高压区正上方，所述差压座位于所述低压区上方，所述负盒固定座的上侧设有所述静压座；所述静压座背离于所述差压座的一侧根部设有静压芯片，所述差压座背离于所述静压芯片的一侧根部设有差压芯片，所述静压芯片大于两个，所述差压芯片大于两个。