[发明专利]一种扩散硅高静压微差压传感器

说明书

技术领域

本发明涉及压力传感器技术领域，具体涉及一种扩散硅高静压微差压传感器。

背景技术

众所周知，随着传感器技术突飞猛进的发展，结构型力敏传感器以其高精度、高稳定、高可靠、低温度系数、高抗过载能力、优良的动态响应特性以及对高温、辐射和强烈振动等恶劣条件适应性强等一系列优势被公认为是新一代具有广阔发展前途的新型高性能传感器。随着检测仪表智能化趋势越来越强，硅传感器在高速发展的微机械加工技术和微电子技术的带动下迅速催生出“硅电容传感器”、“硅谐振传感器”、“硅加速度传感器”等不同与以往硅压阻式传感器的新型结构型传感器，其中电容型压力传感器是结构型压力传感器一种典型代表，它利用电容原理测量压力，是压力测量仪表的关键部件。与扩散硅压力传感器相比，硅电容压力传感器有其独特的优点，特别是采用电容原理制作微差压传感器，远比采用扩散硅原理制造工艺实现难度小，易于批量重复制作。此外，由于这种电容结构型传感器不存在PN结的电隔离问题，因此，无论从精度和长期稳定性方面都较比扩散硅传感器有了很大提高，如：精度优于0.075%FS,传感器在几年使用时间里免维护，这些特点都是前一代传感器无法比拟的。这种采用电容原理的结构型微差压传感器是现代微机电压力传感器的一个重要分支和组成部分，也是对硅压阻式传感器的重要扩充。

硅微微压传感器是硅微压力传感器发展的一个重要分支，在工业自动化控制、汽车工业、航天工业、医疗卫生、半导体加工、军事等许多领域有着广泛的应用。目前国内市场上硅微压力传感器的量程普遍都在lkPa以上，更低量程的产品主要依靠国外进口，一直没有成熟的产品问世，尤其是采用电容原理的结构型微差压传感器的研究一直都是空白，一直被国外产品所垄断，严重制约了我国传感器技术领域的产业发展，进而制约了我国流程控制和自动化技术水平的提高，因此，研究一种结构型微差压传感器，对低微量程的硅微微压传感器的研究，实现相关技术攻关，促进硅微压力传感器技术提高和相关产业发展有着实际意义。

发明内容

本申请提供一种扩散硅高静压微差压传感器，用以解决现有技术中喷码器结构不佳，到时，并且导致实际操作过程中掉落、运输过程中也容易造成破损，以及行程误差会累积并发生微变化，导致检测数据产生误差问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种扩散硅高静压微差压传感器，其中，包括：正盒固定座以及设于所述正盒固定座下侧的负盒固定座，所述正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，所述盘型填充主体与所述负盒固定座之间设有空腔，所述空腔内的两端分别设有静压座、差压座，所述静压座与所述差压座内均设有导线柱；

所述负盒固定座内设有反应区，所述正盒固定座背离于所述负盒固定座的一侧设有连接件，所述连接件内设有接线板，所述盘型填充主体内设有导线通孔，所述接线板与两所述导线柱之间设有导线，所述导线固定在所述导线通孔内；

所述反应区包括低压区、高压区，所述导线通孔位于所述高压区正上方，所述差压座位于所述低压区上方，所述负盒固定座的上侧设有所述静压座；

所述静压座背离于所述差压座的一侧根部设有静压芯片，所述差压座背离于所述静压芯片的一侧根部设有差压芯片，所述静压芯片大于两个，所述差压芯片大于两个。

上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述盘型填充主体远离所述静压座的一端向下设有过载膜片，所述过载膜片的背离于所述静压座的一侧设有过载压环。

上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述差压座与所述过载膜片之间设有保护罩密封阻挡。

上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述正盒固定座的外侧设有膜片板体，所述膜片板体与所述正盒固定座的连接方式为焊接。

上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述正盒固定座与所述盘型填充主体之间的连接方式为焊接。

上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述静压座、所述差压座分别与所述盘型填充主体的贴合面设有嵌台。

依据上述实施例的一种扩散硅高静压微差压传感器方法/装置，该方案具有以下的效果：

1、有效地实现外置电路对传感器进行校准，同时对传感器的温度系数、灵敏度系数进行补偿；

2、采用两静压芯片、两差压芯片的结构，可以在较高工作压力下检测微小的差压变化。并可同时检测高压压力值与微差压值，输出两路数据。

3、其结构简单，易于制造、安装。

附图说明

图1为一种扩散硅高静压微差压传感器的结构示意图；