[发明专利]一种扩散硅高静压微差压传感器

权利要求书

1.一种扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，包括：正盒固定座以及设于所述正盒固定座下侧的负盒固定座，所述正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，所述盘型填充主体与所述负盒固定座之间设有空腔，所述空腔内的两端分别设有静压座、差压座，所述静压座与所述差压座内均设有导线柱；

所述负盒固定座内设有反应区，所述正盒固定座背离于所述负盒固定座的一侧设有连接件，所述连接件内设有接线板，所述盘型填充主体内设有导线通孔，所述接线板与两所述导线柱之间设有导线，所述导线固定在所述导线通孔内；

所述反应区包括低压区、高压区，所述导线通孔位于所述高压区正上方，所述差压座位于所述低压区上方，所述负盒固定座的上侧设有所述静压座；

所述静压座背离于所述差压座的一侧根部设有静压芯片，所述差压座背离于所述静压芯片的一侧根部设有差压芯片，所述静压芯片大于两个，所述差压芯片大于两个。

2.根据权利要求1所述的扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，所述盘型填充主体远离所述静压座的一端向下设有过载膜片，所述过载膜片的背离于所述静压座的一侧设有过载压环。

3.根据权利要求1所述的扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，所述差压座与所述过载膜片之间设有保护罩密封阻挡。

4.根据权利要求1所述的扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，所述正盒固定座的外侧设有膜片板体，所述膜片板体与所述正盒固定座的连接方式为焊接。

5.根据权利要求1所述的扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，所述正盒固定座与所述盘型填充主体之间的连接方式为焊接。

6.根据权利要求1所述的扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，所述静压座、所述差压座分别与所述盘型填充主体的贴合面设有嵌台。