[发明专利]一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器及源极合金电阻制造工艺

摘要

本发明涉及一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器及源极合金电阻制造工艺，该发明利用有源区硅电阻连线设计代替金属连线的方法提高MRAM密度，在工艺上用衬底合金(Salicide)形成低电阻连线的方案来满足源极互联的目的；本发明有效地提高了数据存储密度，降低了芯片面积，能有效提高MRAM存储单元密度50％。

主权项

一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于包括：存储单元、有源区、多晶体栅极、后段金属与前段器件连接孔、第一层金属、第二层金属、磁性隧道结、浅沟道隔离；浅沟道隔离设于有源区两侧；多晶体栅极设于有源区上方，将有源区分为源极与漏极；所述有源区源极设有源极合金电阻，相邻有源区的源极通过源极合金电阻互联；漏极通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；源极每隔若干存储单元后通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；第二层金属通过磁性隧道结连接在第一层金属上方。