[发明专利]一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器及源极合金电阻制造工艺

权利要求书

1.一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于包括：存储单元、有源区、多晶体栅极、后段金属与前段器件连接孔、第一层金属、第二层金属、磁性隧道结、浅沟道隔离；浅沟道隔离设于有源区两侧；多晶体栅极设于有源区上方，将有源区分为源极与漏极；所述有源区源极设有源极合金电阻，相邻有源区的源极通过源极合金电阻互联；漏极通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；源极每隔若干存储单元后通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；第二层金属通过磁性隧道结连接在第一层金属上方。

2.根据权利要求1所述的一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述源极合金电阻为半导体硅材料与活性金属的合金，作为优选，活性金属为钴、镍中的任意一种或组合。

3.根据权利要求1所述的一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的第一层金属、第二层金属带有金属走线。

4.根据权利要求3所述的一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述金属走线的材质为铜，铝，金，银，钨，钽中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的源极每隔2ⁿ个存储单元后通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属的金属走线相连；作为优选，每隔16个存储单元。

6.根据权利要求1所述的一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的源极带有源极线；漏极带有位线。

7.根据权利要求1所述的一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器，其特征在于：所述的多晶体栅极带有字线。

8.一种基于源极合金电阻的磁性随机存取存储器的源极合金电阻制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在包括浅结LDD，源漏注入S/D的注入工艺结束后，沉积一层SAB氧化层并用光刻法定义合金区域；

(2)用蚀刻的方式将合金区域打开后沉积活性金属；

(3)通过热退火工艺直至多晶硅栅极以及有源区内的源极区、漏极区形成合金层，并清洗去除合金层表面未合金的活性金属。