[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610403030.6 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107481976B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述半导体器件包括：基底；若干焊垫结构，间隔凸起设置于所述基底上，其中，所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；顶部钝化层，覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。本发明的半导体器件结构能有效地消除先进WLBGA产品的钝化层裂纹缺陷，进一步改善芯片封装集成问题，进而提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n基底；/n若干焊垫结构，间隔凸起设置于所述基底上，其中，所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；/n顶部钝化层，覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、第二氮化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。/n
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