[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610403030.6 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107481976B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
若干焊垫结构，间隔凸起设置于所述基底上，其中，所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；
顶部钝化层，覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、第二氮化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述顶部钝化层位于所述台阶角区域的部分的轮廓为圆弧形。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括底部钝化层，所述底部钝化层位于所述焊垫结构的下方、所述基底之上。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述底部钝化层包括自下而上层叠的第三氮化物层、第二氧化物层、第四氮化物层和第三氧化物层。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化物层的材料包括氧化硅。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物层、第二氮化物层的材料均包括氮化硅，所述氮掺杂的碳化物层的材料包括含N元素的SiC。
7.如权利要求1至6之一所述的半导体器件，其特征在于，还包括覆盖所述顶部钝化层的有机绝缘层。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述有机绝缘层包括聚酰亚胺。
9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成若干焊垫结构，其中，每个所述焊垫结构间隔凸起设置于所述基底上，且所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；
沉积形成覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底的顶部钝化层，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、第二氮化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述顶部钝化层位于所述台阶角区域的部分的轮廓为圆弧形。
11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述若干焊垫结构之前，还包括在所述基底上形成底部钝化层的步骤。
12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述底部钝化层包括自下而上层叠的第三氮化物层、第二氧化物层、第四氮化物层和第三氧化物层。
13.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物层的材料均包括氧化硅。
14.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一氮化物层、第二氮化物层的材料均包括氮化硅，所述氮掺杂的碳化物层的材料包括含N元素的SiC。
15.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述顶部钝化层的有机绝缘层的步骤。
16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述有机绝缘层包括聚酰亚胺。
17.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在形成第二氮化物层之后，沉积所述氮掺杂的碳化物层之前，还包括进行第一预清洗的步骤，在沉积所述氮掺杂的碳化物层之后，形成所述第一氮化物层之前，还包括进行第二预清洗的步骤。
18.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至8之一所述的半导体器件。
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