[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述半导体器件包括：基底；若干焊垫结构，间隔凸起设置于所述基底上，其中，所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；顶部钝化层，覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。本发明的半导体器件结构能有效地消除先进WLBGA产品的钝化层裂纹缺陷，进一步改善芯片封装集成问题，进而提高了器件的性能和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。

背景技术

晶圆级球门阵列(Wafer Level Ball Grid Array，简称WLBGA)封装模式已经成为最先进的封装技术，由于其具有节省空间，并支持最大键合需求的优点，为了最大限度地提高芯片的功能，越来越多的用户首选WLBGA作为封装模式。但是仍然需要解决很多问题，例如，钝化层裂纹缺陷造成的芯片封装集成(Chip Package Integration，简称CPI)问题。

因此，有必要提出一种新的半导体器件结构，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件，包括：

基底；

若干焊垫结构，间隔凸起设置于所述基底上，其中，所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；

顶部钝化层，覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。

进一步，所述顶部钝化层还包括第二氮化物层。

进一步，所述第一氧化物层、所述第二氮化物层、所述氮掺杂的碳化物层和所述第一氮化物层自下而上依次层叠构成所述顶部钝化层。

进一步，所述顶部钝化层位于所述台阶角区域的部分的轮廓为圆弧形。

进一步，还包括底部钝化层，所述底部钝化层位于所述焊垫结构的下方、所述基底之上。

进一步，所述底部钝化层包括自下而上层叠的第三氮化物层、第二氧化物层、第四氮化物层和第三氧化物层。

进一步，所述第一氧化物层的材料包括氧化硅。

进一步，所述第一氮化物层、第二氮化物层的材料均包括氮化硅，所述氮掺杂的碳化物层的材料包括含N元素的SiC。

进一步，还包括覆盖所述顶部钝化层的有机绝缘层。

进一步，所述有机绝缘层包括聚酰亚胺。

本发明另一方面还提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干焊垫结构，其中，每个所述焊垫结构间隔凸起设置于所述基底上，且所述焊垫结构的侧壁与其外侧的所述基底的表面构成台阶角；

沉积形成覆盖所述焊垫结构以及其外侧四周的所述基底的顶部钝化层，其中，所述顶部钝化层包括自下而上依次层叠的第一氧化物层、氮掺杂的碳化物层以及第一氮化物层。

进一步，所述顶部钝化层还包括第二氮化物层。

进一步，依次沉积形成所述第一氧化物层、所述第二氮化物层、所述氮掺杂的碳化物层和所述第一氮化物层，以形成所述顶部钝化层。