[发明专利]一种用于半导体芯片分切的UV胶膜

摘要

本申请实施例公开了一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，其特征在该胶膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N/25mm到100N/25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。在23℃、50%RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#3000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.02～0.1N/25mm。与现有技术相比，本发明的优点在于本发明所获得的基材薄膜由聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃材料中的一种或多种按比例聚合生成，相比一般的塑料薄膜做出的晶圆划片膜产品，这种薄膜做出的晶圆划片UV膜产品其优点是1.需要的UV光能量更小；2.产品不会“粘棍”，3.产品不容易破膜和残胶。

主权项

一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，其特征在该胶膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N/25mm到100N/25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。