[发明专利]一种用于半导体芯片分切的UV胶膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于半导体芯片分切的UV胶膜。本发明特别是涉及在将半导体晶圆等切断分离成元件的小片时用于固定该半导体晶圆等被切断体的分切UV胶膜。

背景技术

半导体晶圆在以大直径状态制造后，切断(切割)成元件小片，进而移送到安装工序。此时，半导体晶圆在贴附于划片膜的状态下实施切割工序、洗涤工序、扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、上芯工序的各工序。作为所述划片膜，使用将丙烯酸系粘合剂等的粘合剂层涂布、形成于包含塑料膜的基材上而成的划片膜。

目前的晶圆切割划片膜的基材薄膜一般是采用单一型号的聚乙烯并添加部分助剂聚合生成，其生产工艺一般是吹塑、流延、压延发生产，从而使这种基材膜的表面光滑洁净，颜色透明，或者是采用比较粗纹路的光棍进行表面处理而使表面颗粒状磨砂化，但是这种基材生产出的晶圆划片膜强度一般不高，容易撕破；

在晶圆划片膜使用过程中，特别是针对UV型晶圆划片膜的使用过程中，由于拉伸强度过低，使晶圆在扩膜过程中容易由于划片膜的破损而导致晶粒散落；在贴膜的过程中，由于划片膜的表面过于光滑而使划片膜和压辊之间的产生“粘棍”的现象，从而使贴膜容易失败。

在晶圆划片膜使用过程中，特别是晶圆划片后在照射UV的过程中，由于划片膜的表面过于粗糙，表面颗粒度过大，从而使UV光的能量过分反射而达不到胶粘层从而使胶粘层的粘度固化不彻底或者固化时间过长，照射 UV 的时间过长或者粘度固化不彻底都会造成胶粘层的残胶。

在晶圆切割后小芯片的拾取过程中，尤其在半导体晶圆的厚度成为100μm以下时，对于以往的分切UV胶膜，若如以往那样将上推针快速上推而拾取半导体芯片，则会有产生因将上推针上推所引起的冲击而使半导体芯片非常容易破裂的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，以克服现有技术中针对晶圆划片过程中容易出现的破膜、残胶和芯片破裂的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案 ：

申请实施例公开了一种用于半导体芯片分切的UV胶膜的基材薄膜，该基材薄膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm ；所述基材薄膜的拉伸强度在20N/25mm到100N/25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。

在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，厚度并无特别限制，但优选60～200μm。

优选的，在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，所述基材薄膜的材质按照重量比包括10%～35%的低密度聚乙烯、15%～50%的线形低密度聚乙烯、15%～55%的茂金属聚烯烃、10%～45%的醋酸乙烯酯共聚物、1%～5%的助剂。

本申请发明的分切UV胶膜，其特征在于，其是在基材树脂膜的至少单侧具有放射线固化性的粘合剂层、且将晶圆贴合在所述粘合剂层并切割所述晶圆的分切UV胶膜，所述粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的 1 种或2种以上的聚合物100质量份，含1～40质量份的邻苯二甲酸酯类，23℃、50%RH 的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#3000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为 0.02～0.1N/25mm。

另外，就上述分切UV胶膜而言，优选所述邻苯二甲酸酯类对水的溶解度为0.1mg/L以下。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明所获得的基材薄膜由聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃材料中的一种或多种按比例聚合生成，相比一般的塑料薄膜做出的晶圆划片膜产品，这种薄膜做出的晶圆划片UV膜产品其优点是：1.需要的UV光能量更小；2.产品不会“粘棍”，3.产品不容易破膜和残胶。

附图说明

图1是示意性显示本发明的实施方式的分切UV胶膜的结构的剖视图。

具体方式

以下，对本发明的实施方式加以详细说明。

本发明的实施方式的分切UV胶膜1在基材树脂膜2的至少单侧形成有至少1层的粘合剂层3。图1是显示本发明的放射线固化型的分切UV胶膜1的优选的实施方式的概略剖视图，分切UV胶膜1具有基材树脂膜2，且在基材树脂膜2上形成有粘合剂层3。另外，在粘合剂层3上形成有根据需要设置的隔片4。

(基材树脂膜2)