[发明专利]一种用于半导体芯片分切的UV胶膜

权利要求书

1.一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，其特征在该胶膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N/25mm到100N/25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆划片膜的基材薄膜，其特征在于：所述基材薄膜的材质按照重量比包括10%～35%的低密度聚乙烯、15%～50%的线形低密度聚乙烯、15%～55%的茂金属聚烯烃、10%～45%的醋酸乙烯酯共聚物、1%～5%的助剂。

3. 在23℃、50%RH 的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#3000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.02～0.1N/25mm。

4.一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，就粘合剂层而言，优选所述邻苯二甲酸酯类对水的溶解度为0.1mg/L以下。