[发明专利]利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法在审
申请号: | 201610256111.8 | 申请日: | 2016-04-22 |
公开(公告)号: | CN105779967A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 章嵩;李登峰;徐伟清;涂溶;张联盟 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/46;C23C16/511;C23C16/513;C23C16/517;C23C16/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法,通过在原来MPCVD装置的基础上增加一个用于测温和支撑的热电偶、用于感应产热的石墨管以及铜线圈,在反应的过程中,通过置于基板座中的热电偶配合中频感应加热器对基板温度进行快速且精准的调控。本发明方法既保留了原有MPCVD系统沉积金刚石膜的优点,又能为金刚石薄膜的生长提供稳定的条件,结合对基板的预处理以及通入辅助气体提高形核密度,能够生长出晶粒尺寸和薄膜厚度均匀的金刚石薄膜。 | ||
搜索关键词: | 利用 mpcvd 中频 感应 辅助 加热 制备 金刚石 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将基板放入混有金刚石微粉的丙酮溶液中,超声震荡一定时间,用去离子水洗净后以氮气吹干;(2)将处理好的基板置于基板座上,设定好MPCVD系统和中频感应辅助加热器;(3)抽真空并打开中频感应辅助加热器的开关,对基板进行预热;(4)在温度接近设定值时通入反应气体与载流气,调节流量计使气流速度稳定;(5)打开微波源,激发前驱体,开始沉积金刚石薄膜,中频感应辅助加热器通过热电偶实时监控基板温度使其保持稳定,直至沉积结束。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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