[发明专利]利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610256111.8 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105779967A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 章嵩;李登峰;徐伟清;涂溶;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/46;C23C16/511;C23C16/513;C23C16/517;C23C16/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 mpcvd 中频 感应 辅助 加热 制备 金刚石 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) 将基板放入混有金刚石微粉的丙酮溶液中，超声震荡一定时间，用去离子水洗净后以氮气吹 干；(2)将处理好的基板置于基板座上，设定好MPCVD系统和中频感应辅助加热器；(3) 抽真空并打开中频感应辅助加热器的开关，对基板进行预热；(4)在温度接近设定值时通入 反应气体与载流气，调节流量计使气流速度稳定；(5)打开微波源，激发前驱体，开始沉积 金刚石薄膜，中频感应辅助加热器通过热电偶实时监控基板温度使其保持稳定，直至沉积结 束。
2.如权利要求1中所述的制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：步骤(1)中金刚石微粉的粒 径为30-40μm，金刚石在丙酮中的混合浓度为10g/L。
3.如权利要求1中所述的制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：步骤(2)中MPCVD系统 沉积腔压力设定在1000-6000Pa，基板温度设定在600-900℃。
4.如权利要求1中所述的制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：步骤(4)中通入的气体为 CH4、H2和CO2，气体总流量为400-800sccm，CH4与H2的质量流量比小于5％。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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