[发明专利]一种正装LED发光二极管及其制作工艺在审
| 申请号： | 201610253384.7 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105742421A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡立鹤;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;周弘毅;邬新根;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/42 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P‑GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N‑GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P‑GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P‑GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N‑GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P‑GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 发光二极管 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。
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