[发明专利]一种正装LED发光二极管及其制作工艺

权利要求书

1.一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N-GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N-GaN层之间包裹式设置透明导电层、P-GaN层和量子阱层。

2.如权利要求1所述正装LED发光二极管的制作工艺，包括以下步骤：

1）在衬底的同一侧依次外延生长形成N-GaN层、量子阱层和P-GaN层；

2）图形化地刻蚀去除各元胞的P-GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N-GaN层；

3）在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P-GaN层上的透明导电材料；

4）在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极；

其特征在于：在相邻的两个元胞中的另一个元胞的透明导电层、P-GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N-GaN层上。