[发明专利]一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用有效
| 申请号： | 201610242575.3 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105789467B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用。所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50‑80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO3薄膜，其中，所述退火温度为150‑350℃，时间为15‑30min。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in 掺杂 moo sub 薄膜 制备 方法 及其 qled 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层为In掺杂MoO3薄膜，所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50‑80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO3薄膜，其中，所述退火温度为150‑350℃，时间为15‑30min。
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