[发明专利]一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用

说明书

本发明提供了一种In掺杂MoO₃薄膜的制备方法及其在QLED中的应用。所述In掺杂MoO₃薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO₃，将所述铟盐和MoO₃溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50‑80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO₃薄膜，其中，所述退火温度为150‑350℃，时间为15‑30min。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种In掺杂MoO₃薄膜的制备方法及其在QLED中的应用。

背景技术

近年来，由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注，成为目前新型LED研究的主要方向。现有的QLED通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。其中，空穴注入层作为功能层，能够降低空穴的注入势垒，从而提高载流子迁移效率。

PEDOT:PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸)是一种聚合物材料，由于兼具高透光率、高功函数、平整的形貌和良好的导电性等优点，被广泛用作 QLED的空穴注入层材料。采用PEDOT:PSS修饰ITO，可以提高其功函数和膜的平整度。然而，大量研究数据表明，PEDT:PSS具有酸性和易吸水的特性，因此，以PEDOT:PSS作为空穴注入层材料，会对ITO产生腐蚀，进而对QLED 器件的稳定性产生不利影响。为了解决此问题，有研究者使用金属氧化物来替代PEDOT:PSS，比如V₂O₅、WO₃、NiO、和MoO₃等。其中，MoO₃因具有无毒、比较深的能级结构、宽带隙和良好的电子阻挡性能等优点，成为PEDOT:PSS 的替代材料。目前，已经大量使用氧化钼作为空穴注入层、应用到OPV和OLED 中的报道。但是，由于氧化钼本身的电阻值很高，因此，其对QLED电荷的传输和注入带来了影响。为了克服氧化钼电阻值过高的问题，有学者尝试通过In 掺杂氧化钼的方式来改变氧化钼的电阻和透光率，具体的，该方法通过将氧化钼和氧化铟的粉末混合，然后在马弗炉里面使用高达950℃的高温进行煅烧，使其产生掺杂。显然，该高温煅烧的方式不适用于QLED功能层的制备。因此，寻找一种适于QLED、功函数可调、且低温制备In掺杂的氧化钼的方法，是亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种In掺杂MoO₃薄膜的制备方法，旨在解决氧化钼由于本身电阻值过高影响电荷的传输和注入、而现有的In掺杂MoO₃的制备方法需经高温煅烧、不适用于QLED空穴注入层制备的问题。

本发明的另一目的在于提供一种空穴注入层为In掺杂MoO₃薄膜的QLED。

本发明的再一目的在于提供一种空穴注入层为In掺杂MoO₃薄膜的QLED 的制备方法。

本发明是这样实现的，一种In掺杂MoO₃薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供铟盐和MoO₃，将所述铟盐和MoO₃溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50-80℃；

提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO₃薄膜，其中，所述退火温度为150-350℃，时间为15-30min。