[发明专利]一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法及其在QLED中的应用

权利要求书

1.一种QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层为In掺杂MoO₃薄膜，

所述In掺杂MoO₃薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供铟盐和MoO₃，将所述铟盐和MoO₃溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50-80℃；

提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO₃薄膜，其中，所述退火温度为150-350℃，时间为15-30min。

2.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述In掺杂MoO₃薄膜的制备方法中，所述铟盐为In(NO₃)₃·H₂O、InCl₃·4H₂O中的至少一种；和/或

所述无机酸为盐酸、硝酸中的一种；和/或

所述有机溶剂为二甲氧基乙醇。

3.如权利要求1所述QLED，其特征在于，所述In掺杂MoO₃薄膜的制备方法中，所述混合溶液中，所述MoO₃的质量百分浓度为0.02-5％。

4.如权利要求3所述的QLED，其特征在于，所述In掺杂MoO₃薄膜的制备方法中，所述混合溶液中，以铟和钼的总摩尔含量为100％计，所述铟的摩尔百分含量为1-15％。

5.如权利要求1-4任一所述的QLED，其特征在于，所述In掺杂MoO₃薄膜的制备方法中，所述溶液加工方法为旋涂方法。

6.如权利要求1-4任一所述的QLED，其特征在于，还包括空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。

7.一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供ITO基板，并对所述ITO基板进行清洁处理；

按照权利要求1-6任一所述QLED在所述ITO基板上沉积In掺杂MoO₃薄膜，形成空穴注入层；

在所述空穴注入层上依次制备量子点发光层和阴极。

8.如权利要求7所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述清洁处理包括对所述ITO基板进行紫外臭氧处理或氧气等离子体处理。

9.如权利要求7或8所述的QLED的制备方法，其特征在于，还包括在制备所述量子点发光层前，在所述空穴注入层上制备空穴传输层；和/或

在制备所述阴极前，在所述量子点发光层上制备电子传输层和/或电子注入层。