[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610204360.2 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107293586B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;B82B3/00;B82B1/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有若干相互间隔的鳍片，在所述鳍片的表面依次形成有绝缘层和牺牲层；在所述基底上形成覆盖层并回蚀刻，以露出所述鳍片顶部的所述牺牲层；在露出的所述牺牲层的顶部上生长包括导电材料的纳米量子点，其中所述纳米量子点内嵌入所述牺牲层下方的所述绝缘层中，以得到基于纳米量子点的沟道。本发明在所述制备过程中在所述鳍片上形成绝缘层和牺牲层，然后在所述牺牲层的顶部生长包括导电材料的纳米量子点，其中，所述纳米量子点形成于纳米管的绝缘层上方，从而克服了现有技术中半导体材料尺寸的限制，可以进一步减小器件的尺寸同时还能保证良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有若干相互间隔的鳍片，在所述鳍片的表面依次形成有绝缘层和牺牲层；在所述基底上形成覆盖层并回蚀刻，以露出所述鳍片顶部的所述牺牲层；在露出的所述牺牲层的顶部上生长包括导电材料的纳米量子点，其中所述纳米量子点内嵌入所述牺牲层下方的所述绝缘层中，以得到基于纳米量子点的沟道。
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