[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有若干相互间隔的鳍片，在所述鳍片的表面依次形成有绝缘层和牺牲层；在所述基底上形成覆盖层并回蚀刻，以露出所述鳍片顶部的所述牺牲层；在露出的所述牺牲层的顶部上生长包括导电材料的纳米量子点，其中所述纳米量子点内嵌入所述牺牲层下方的所述绝缘层中，以得到基于纳米量子点的沟道。本发明在所述制备过程中在所述鳍片上形成绝缘层和牺牲层，然后在所述牺牲层的顶部生长包括导电材料的纳米量子点，其中，所述纳米量子点形成于纳米管的绝缘层上方，从而克服了现有技术中半导体材料尺寸的限制，可以进一步减小器件的尺寸同时还能保证良好的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。

背景技术

对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元等。

随着特征尺寸进入纳米级，减小半导体器件尺寸的同时保持半导体器件的性能，成为目前半导体器件发展的方向，超微纳米器件将成为未来半导体器件的主流，但是由于目前所选用的材料以及制备工艺限制了半导体器件尺寸的进一步缩小，因此需要对纳米半导体器件及其制备方法做进一步的突破，以解决现有技术中存在的弊端。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有若干相互间隔的鳍片，在所述鳍片的表面依次形成有绝缘层和牺牲层；

在所述基底上形成覆盖层并回蚀刻，以露出所述鳍片顶部的所述牺牲层；

在露出的所述牺牲层的顶部上生长包括导电材料的纳米量子点，其中所述纳米量子点内嵌入所述牺牲层下方的所述绝缘层中，以得到基于纳米量子点的沟道。

可选地，所述方法还进一步包括对所述纳米量子点进行修剪的步骤，以减小所述纳米量子点的尺寸和/或改变所述纳米量子点的形状。

可选地，选用中性等离子束对所述纳米量子点进行修剪。

可选地，选用远程等离子体修剪的方法对所述纳米量子点进行修剪。

可选地，选用包括Cl₂和/或BCl₃的中性等离子束对所述纳米量子点进行修剪。

可选地，通过衍射掩模投影激光消融法生长所述纳米量子点。

可选地，在所述修剪步骤之前或者之后还进一步包括去除所述牺牲层的步骤，以露出所述绝缘层。

可选地，选用湿法蚀刻去除所述牺牲层。

可选地，在所述修剪步骤之前或者之后还进一步包括去除所述覆盖层的步骤，以露出所述鳍片。

可选地，所述鳍片包括蓝宝石材料；

所述绝缘层包括BN纳米管层。

本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：

基底；

若干相互隔离的鳍片，位于所述基底上；

绝缘层，位于所述鳍片表面上；

纳米量子点，嵌于所述绝缘层的顶部。