[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610204360.2 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107293586B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;B82B3/00;B82B1/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基底，在所述基底上形成有若干相互间隔的鳍片，在所述鳍片的表面依次形成有绝缘层和牺牲层；
在所述基底上形成覆盖层并回蚀刻，以露出所述鳍片顶部的所述牺牲层；
在露出的所述牺牲层的顶部上生长包括导电材料的纳米量子点，其中所述纳米量子点内嵌入所述牺牲层下方的所述绝缘层中，以得到基于纳米量子点的沟道。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括对所述纳米量子点进行修剪的步骤，以减小所述纳米量子点的尺寸和/或改变所述纳米量子点的形状。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用中性等离子束对所述纳米量子点进行修剪。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，选用远程等离子体修剪的方法对所述纳米量子点进行修剪。
5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，选用包括Cl2和/或BCl3的中性等离子束对所述纳米量子点进行修剪。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过衍射掩模投影激光消融法生长所述纳米量子点。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述修剪步骤之前或者之后还进一步包括去除所述牺牲层的步骤，以露出所述绝缘层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，选用湿法蚀刻去除所述牺牲层。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述修剪步骤之前或者之后还进一步包括去除所述覆盖层的步骤，以露出所述鳍片。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片包括蓝宝石材料；
所述绝缘层包括BN纳米管层。
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
基底；
若干相互隔离的鳍片，位于所述基底上；
绝缘层，位于所述鳍片表面上；
纳米量子点，嵌于所述绝缘层的顶部。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍片包括蓝宝石材料；
所述绝缘层包括BN纳米管层。
13.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求11至12之一所述的半导体器件。
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