[发明专利]集成电路装置及其三维扇出结构和制造方法有效
| 申请号： | 201610163609.X | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106960799B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 高伟;龚志伟;叶德洪 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/52;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造用于集成电路装置的3D扇出结构的方法，包括：提供衬底载体，其具有相对的第一和第二表面，以及在第一和第二表面之间延伸的孔。将第一半导体管芯接合至衬底载体的第一表面，使得第一管芯覆盖衬底载体的孔。将封装剂和第二管芯沉积放置在衬底载体的孔内，使得第二管芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面。随后将一个或者多个再分配层施加至衬底载体的第二表面上，来形成3D扇出结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 三维 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于集成电路装置的三维(3D)扇出结构的方法，该方法包括：提供衬底载体，其包括相对的第一和第二表面，以及在第一和第二表面之间贯穿延伸的孔；将第一半导体片芯接合至衬底载体的第一表面，使得第一半导体片芯覆盖衬底载体的孔；在衬底载体的孔内沉积封装剂和第二半导体片芯，使得第二半导体片芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面；以及将至少一个再分配层施加至衬底载体的第二表面上，来形成3D扇出结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
