[发明专利]集成电路装置及其三维扇出结构和制造方法

权利要求书

1.一种制造用于集成电路装置的三维(3D)扇出结构的方法，该方法包括：

提供衬底载体，其包括相对的第一和第二表面，以及在第一和第二表面之间贯穿延伸的孔；

将第一半导体管芯接合至衬底载体的第一表面，使得第一半导体管芯覆盖衬底载体的孔；

在衬底载体的孔内沉积封装剂和第二半导体管芯，使得第二半导体管芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面；以及

将至少一个再分配层施加至衬底载体的第二表面上，来形成3D扇出结构。

2.如权利要求1的方法，其中：

所述第一半导体管芯的有效表面上的接触焊盘接合至位于所述衬底载体的第一表面上的导电焊盘，以及

所述第一半导体管芯倒装接合至所述衬底载体的第一表面。

3.如权利要求1的方法，其中：

在所述衬底载体的孔内沉积封装剂和第二半导体管芯，包括将封装剂分配至所述孔中，并且随后将第二半导体管芯沉积在所述孔内的封装剂中，使得所述第二半导体管芯的有效表面暴露并且与所述衬底载体的第二表面共面；以及

其中使用超尺寸拾取和放置管嘴沉积所述第二半导体管芯。

4.如权利要求1的方法，其中所述将封装剂和第二半导体管芯沉积在衬底载体的孔内包括：

将粘附剂层施加至接合至所述衬底载体的第一表面的所述第一半导体管芯的表面区域，所述第一半导体管芯的所述表面区域暴露在衬底载体的孔内；

将所述第二半导体管芯沉积到在衬底的孔内的粘附剂层上，使得所述第二半导体管芯的有效表面与所述衬底载体的第二表面共面；以及

将封装剂分配至孔中在所述第二半导体管芯的周围。

5.一种用于制造集成电路装置的三维(3D)扇出结构的方法，包括：

提供衬底载体，其包括相对的第一和第二表面，以及贯穿其延伸的孔；

将第一半导体管芯接合并电连接至衬底载体的第一表面，使第一半导体管芯覆盖衬底载体的孔以形成井形结构；

将封装剂和第二半导体管芯设于由衬底载体的孔和第一半导体管芯形成的井形结构内，使得第二半导体管芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面；以及

将至少一个再分配层施加至衬底载体的第二表面上以及第二半导体管芯的暴露的全部有效表面上，其中第二半导体管芯的接合焊盘直接接触并电连接至所述至少一个再分配层。

6.如权利要求5的方法，其中，所述将第一半导体管芯接合并电连接至衬底载体的第一表面包括将第一半导体管芯的有效表面上的接触焊盘接合至位于所述衬底载体的第一表面上的导电焊盘。

7.如权利要求6的方法，其中所述将第一半导体管芯接合并电连接至衬底载体的第一表面包括将第一半导体管芯倒装接合至所述衬底载体的第一表面。