[发明专利]金属导线结构的形成方法有效

专利信息
申请号: 201610149306.2 申请日: 2016-03-16
公开(公告)号: CN107199337B 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 何羽轩 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: B22F3/105 分类号: B22F3/105;B22F7/02;B33Y10/00;H01L23/485
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 郭晓宇
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种金属导线结构的形成方法,包括:形成金属粉末层于基底上;对金属粉末层的第一部分进行第一激光烧结,以形成金属层;及在氧气的存在下,对金属粉末层的第二部分进行第二激光烧结,以形成金属氧化物层,金属氧化物层作为第一介电层。本实施例通过选择性激光烧结技术可在封装体各个表面的任意位置上烧结出金属结构及/或介电结构,并可得到各种不同的电路图案,进而完成晶片等级的封装,更具有工艺简单及成本低等优点。另外,由于激光烧结所形成的金属结构具有极强的结构特性,故可提高封装的稳定性;且通过激光烧结所形成的金属氧化物结构,其导热效果较一般塑胶或高分子物质更佳,故可改善元件过热的问题。
搜索关键词: 金属 导线 结构 形成 方法
【主权项】:
一种金属导线结构的形成方法,其特征在于,包括:提供一基底;形成一金属粉末层于该基底上;对该金属粉末层的第一部分进行一第一激光烧结,以形成一金属层;及在一氧气的存在下,对该金属粉末层的第二部分进行一第二激光烧结,以形成一金属氧化物层,该金属氧化物层作为一第一介电层。
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