[发明专利]金属导线结构的形成方法有效
申请号: | 201610149306.2 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN107199337B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 何羽轩 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | B22F3/105 | 分类号: | B22F3/105;B22F7/02;B33Y10/00;H01L23/485 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种金属导线结构的形成方法,包括:形成金属粉末层于基底上;对金属粉末层的第一部分进行第一激光烧结,以形成金属层;及在氧气的存在下,对金属粉末层的第二部分进行第二激光烧结,以形成金属氧化物层,金属氧化物层作为第一介电层。本实施例通过选择性激光烧结技术可在封装体各个表面的任意位置上烧结出金属结构及/或介电结构,并可得到各种不同的电路图案,进而完成晶片等级的封装,更具有工艺简单及成本低等优点。另外,由于激光烧结所形成的金属结构具有极强的结构特性,故可提高封装的稳定性;且通过激光烧结所形成的金属氧化物结构,其导热效果较一般塑胶或高分子物质更佳,故可改善元件过热的问题。 | ||
搜索关键词: | 金属 导线 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种金属导线结构的形成方法,其特征在于,包括:提供一基底;形成一金属粉末层于该基底上;对该金属粉末层的第一部分进行一第一激光烧结,以形成一金属层;及在一氧气的存在下,对该金属粉末层的第二部分进行一第二激光烧结,以形成一金属氧化物层,该金属氧化物层作为一第一介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610149306.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能哆啦A梦玩具
- 下一篇:一种双枪可动式模型玩具