[发明专利]金属导线结构的形成方法

权利要求书

1.一种金属导线结构的形成方法，其特征在于，包括：

设置一第一介电结构于一基底上，其中该第一介电结构的形成方法包括化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或其组合；及

沿该第一介电结构的一侧面形成一第一金属结构及一第二介电结构，包括：

形成一金属粉末层于该基底上；

对该金属粉末层的第一部分进行一第一激光烧结，以形成一金属层；

在一氧气的存在下，对该金属粉末层的第二部分进行一第二激光烧结，以形成一金属氧化物层；及

在该金属层及该金属氧化物层上，重复上述形成该金属粉末层、该第一激光烧结及该第二激光烧结的步骤，以形成多个该金属层及多个该金属氧化物层，其中该些金属层作为该第一金属结构，该些金属氧化物层作为该第二介电结构。

2.如权利要求1所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该第一介电结构的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述的组合。

3.如权利要求1所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该第一激光烧结及该第二激光烧结是在一低真空状态的一腔体中进行，且该低真空状态为该腔体气压10^-3mbar～10^-5mbar。

4.如权利要求1所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该第一激光烧结在一惰性气体的环境下进行。

5.如权利要求1所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该基底为半导体晶圆、裸晶、封装体或电路板。

6.如权利要求1所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该金属粉末层的材料为Cu、Al、Cr、Mo、Ti、Fe、不锈钢、钴铬合金、锻钢或Ti-6Al-4V合金。

7.如权利要求1所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该第一金属结构及该第二介电结构作为一第一导线结构。

8.如权利要求7所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，更包括形成一第二导线结构于该第一介电结构及该第一导线结构上。

9.如权利要求8所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，该第二导线结构包括一第二金属结构及一第三介电结构。

10.如权利要求8所述的金属导线结构的形成方法，其特征在于，形成该第二导线结构于该第一介电结构及该第一导线结构的步骤包括：进行形成该金属粉末层、该第一激光烧结及该第二激光烧结的步骤。