[发明专利]沟槽栅功率晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅功率晶体管的制造方法，包括步骤：在硅衬底上形成沟槽；在沟槽的内部表面形成第一层氧化硅；进行光刻胶涂布；全面曝光并显影并使显影后在沟槽的底部有光刻胶剩余；对第一层氧化硅进行湿法刻蚀，光刻胶在湿法刻蚀对沟槽底部第一层氧化硅进行保护；去除光刻胶；进行栅极氧化硅生长；步骤八、在沟槽中填充多晶硅形成多晶硅栅。本发明能增加沟槽底部氧化硅的厚度，提高器件的击穿电压并降低器件的反向转移电容，从而能改善器件性能，本发明还具有较低工艺成本。

主权项

一种沟槽栅功率晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成沟槽；步骤二、在所述沟槽的底部表面和侧面同时形成第一层氧化硅；步骤三、进行光刻胶涂布，所述光刻胶将所述沟槽完全填满并延伸到所述沟道外部的所述硅衬底表面；步骤四、对所述光刻胶进行全面曝光并显影，所述全面曝光的焦距和能量要求保证显影后在所述沟槽的底部有光刻胶剩余；步骤五、对所述第一层氧化硅进行湿法刻蚀，所述湿法刻蚀将位于所述光刻胶顶部的所述沟槽的侧面的所述第一层氧化硅去除、所述沟槽底部表面的所述第一层氧化硅受所述光刻胶保护而保留，湿法刻蚀后所述沟槽的侧面的所述第一层氧化硅的表面位置低于或等于所述光刻胶的顶部表面位置；步骤六、去除所述光刻胶；步骤七、进行栅极氧化硅生长，所述栅极氧化硅形成于所述第一层氧化硅的顶部的所述沟槽的侧面；所述第一层氧化硅用于提升沟槽栅功率晶体管的击穿电压和降低沟槽栅功率晶体管的反向转移电容；步骤八、在所述沟槽中填充多晶硅形成多晶硅栅。